تشغيل وضع قابل للوصول بشكل أفضل
إيقاف تشغيل الوضع القابل للوصول بشكل أفضل
دخــــول
English
قسم الفيزياء
Toggle navigation
الرئيسية
عن القسم
نبذة عن القسـم
رسالة رئيس القسـم
الرؤية والرساله
الاهداف والقيم
اتصل بنا
مسـاقات القسـم
الخطة الدراسية
الهيئة التدريسية
المزيد
روابط مهمة
معرض الصور
النماذج
Home
/
الكليـــات و المعــاهــد
/
كلية العلوم
/
الأقسام
/
الفيزياء
/
ResearchesDetails
Band gap controlling of doped bulk silicon carbide structure under the influence of tensile stress: DFT
Band gap controlling of doped bulk silicon carbide structure under the influence of tensile stress: DFT
سنة النشـــر
2022