تشغيل وضع قابل للوصول بشكل أفضل
إيقاف تشغيل الوضع القابل للوصول بشكل أفضل
دخــــول
English
قسم الفيزياء
Toggle navigation
الرئيسية
عن القسم
نبذة عن القسـم
رسالة رئيس القسـم
الرؤية والرساله
الاهداف والقيم
مجالس القسم ولجانه
الرسائل العلمية في القسم
الابحاث العلمية للقسم
المشاريع البحثية في القسم
لوحة شرف القسم
اتصل بنا
المساقات ووصفها
مساقات البكالوريوس ووصفها
مساقات الماجستير ووصفها
البرامج والخطط الدراسية
برامج القسم
الخطط الدراسية
خطة البكالوريوس
خطة الماجستير
الخطط الاسترشادية
الخطة الاسترشادية للبكالوريوس
الخطة الاسترشادية الشجرية
الإرشاد الأكاديمي
الهيئة التدريسية
المزيد
روابط مهمة
معرض الصور
النماذج
Home
/
الكليـــات و المعــاهــد
/
كلية العلوم
/
الأقسام
/
الفيزياء
/
ResearchesDetails
Band gap controlling of doped bulk silicon carbide structure under the influence of tensile stress: DFT
Band gap controlling of doped bulk silicon carbide structure under the influence of tensile stress: DFT
سنة النشـــر
2022
