تقليل فقد الطاقة لمحاكي PV باستخدام نموذج PV قائم على الترانزستور

في الآونة الأخيرة ، أظهر المحاكي الكهروضوئي (PV) القائم على مزيج من مصدر تيار ثابت وسلسلة أشباه الموصلات ، أي الترانزستورات أو الثنائيات ، ديناميكيات أسرع بكثير من حل تبديل مصدر الطاقة (SMPS) وأظهر أيضًا أداءً متوافقًا مع ذلك لنظام PV حقيقي. في حين أنه يتمتع بكفاءة عالية في استهلاك الطاقة عند أقصى نقطة طاقة (MPP) ، فإن فقد الطاقة للمحاكي يزيد إلى ما بعد MPP ويكون عند أعلى مستوى في حالة تشغيل جهد الدائرة المفتوحة (OCV). يقدم هذا البحث حلاً هجينًا حيث تعمل سلسلة أشباه الموصلات في منطقة المصدر الحالي لمنحنى I-V وتنشط دائرة التبديل الجديدة ، التي تقع بالتوازي مع سلسلة أشباه الموصلات ، في منطقة مصدر الجهد. تظهر النتائج التجريبية أن كفاءة ودرجة حرارة المحاكي الكهروضوئي بناءً على تكوين سلسلة الترانزستور وحدها تصل إلى 4.8? و 93.5 درجة مئوية ، على التوالي ، في سيناريو أسوأ الحالات ، أي حالة OCV ، مقارنة بـ 88.3? و 26.3 درجة مئوية ، على التوالي. للحل المقترح. تعالج دائرة التبديل جزءًا صغيرًا فقط من طاقة المحاكي المقدرة ولديها متطلبات عرض نطاق تحكم أضيق بكثير من الحل القائم على محول التبديل الخالص. تم اقتراح خوارزمية تحكم جديدة لإدارة الانتقال بين المنطقتين بسلاسة.